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        砷化鎵晶片 GaAs Wafer

        我們研發并生產的2-6英半導體級以及半絕緣級高純度砷化鎵晶體和晶片被廣泛應用于半導體集成電路以及LED通用照明等領域。

        Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


        半導體砷化鎵規格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

        生長方法
          Growth Method 

           VGF 

          摻雜類型
          Dopant 

          P型:鋅 
          p-type: Zn 

          N型:硅
          n-type: Si

          晶片形狀
          Wafer Shape 

          圓形(尺寸2、3、4、6英寸)
          Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

          晶向 
          Surface Orientation * 

          (100)±0.5° 

          * Other Orientations maybe available upon request 
            其他晶向要求可根據客戶需求加工 

        Dopant
        摻雜

        硅 (N 型)
        Si (n-type)

        鋅 (P 型)
        Zn (p-type)

        載流子濃度
        Carrier Concentration (cm-3)

        ( 0.8-4) × 1018

        ( 0.5-5) × 1019

        遷移率 
          Mobility (cm2/V.S.)

        ( 1-2.5) × 103

        50-120

          位錯 
          Etch Pitch Density (cm2) 

         100-5000

        3,000-5,000

        直徑
        Wafer Diameter (mm)

        50.8±0.3

        76.2±0.3

        100±0.3

          厚度 
          Thickness (μm) 

        350±25

        625±25

        625±25

          TTV [P/P] (μm) 

        ≤ 4

        ≤ 4

        ≤ 4

          TTV [P/E] (μm) 

        ≤ 10

        ≤ 10

        ≤ 10

          WARP (μm) 

        ≤ 10

        ≤ 10

        ≤ 10

        OF (mm)

        17±1

        22±1

        32.5±1

        OF / IF (mm)

        7±1

        12±1

        18±1

        Polish*

        E/E,
        P/E,
        P/P

        E/E,
        P/E,
        P/P

        E/E,
        P/E,
        P/P

        *E=Etched, P=Polished(*E=腐蝕, P=拋光)

          **If needed by customer 
              根據客戶需要 


        半絕緣砷化鎵 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

        生長方法

          Growth Method 

           VGF 

          摻雜類型

          Dopant 

          SI 型:

        SI Type:  Carbon 

          晶片形狀

          Wafer Shape 

          圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

          Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

          晶向 

          Surface Orientation * 

          (100)±0.5° 

          * Other Orientations maybe available upon request 

            其他晶向要求可根據客戶需求加工 

          電阻率 

          Resistivity  (Ω.cm) 

        ≥ 1 × 107

        ≥ 1 × 108

        遷移率

        Mobility (cm2/V.S)

        ≥ 5,000

        ≥ 4,000

          位錯 

          Etch Pitch Density (cm2

          1,500-5,000

        1,500-5,000

        晶片直徑

        Wafer Diameter (mm)

        50.8±0.3

        76.2±0.3

        100±0.3

        150±0.3

          厚度 

          Thickness (μm) 

        350±25 

        625±25

        625±25

        675±25 

          TTV [P/P] (μm) 

        ≤ 4

        ≤ 4

        ≤ 4

        ≤ 4

          TTV [P/E] (μm) 

        ≤ 10

        ≤ 10

        ≤ 10

        ≤ 10

          WARP (μm) 

        ≤ 10

        ≤ 10

        ≤ 10

        ≤ 15

        OF (mm)

        17±1

        22±1

        32.5±1

        NOTCH

        OF / IF (mm)

        7±1

        12±1

        18±1

        N/A

        Polish*

        E/E,

        P/E,

        P/P

        E/E,

        P/E,

        P/P

        E/E,

        P/E,

        P/P

        E/E,

        P/E,

        P/P

        *E=Etched, P=Polished (*E=腐蝕, P=拋光)

          **If needed by customer 

              根據客戶需要 


        III-V族襯底產品營銷中心:
        聯系電話:13398718466
        E-mail:alexchen@sino-ge.com
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