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        太陽能鍺晶片

        公司能夠研發擁有自主知識產權的4英寸和6英寸VGF法單晶生長爐,建成了4英寸和6英寸VGF法“零位錯”太陽能電池用鍺單晶片生產線。

        We invented 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace with independent intellectual property right, and set up a production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


        鍺晶片技術規格

           生長方法

          Growth Method 

           VGF 

          摻雜類型

          Dopant 

          P型:鎵 

          p-type: Ga 

          N型:砷

          n-type: As

          晶片形狀

          Wafer Shape 

          圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

          Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

          晶向 

          Surface Orientation * 

          (100)±0.5° 

          * Other Orientations maybe available upon request 

            其他晶向要求可根據客戶需求加工 

          電阻率 

          Resistivity  (Ω.cm) 

          根據客戶要求

          As Required

          位錯 

          Etch Pitch Density (cm2) 

          ≤ 300 

          厚度 

          Thickness (μm) 

          175±25(或根據客戶要求)

          175±25 (or as required) 

          TTV [P/P] (μm) 

          ≤ 10 

          WARP (μm) 

          ≤ 15 

          IF** (mm) 

          32.5±1 

          **If needed by customer 

              根據客戶需要 

          主面拋光

          Surface 

           E/E, P/E, P/G 


        鍺襯底產品營銷中心:
        聯系電話:13398718466
        E-mail:alexchen@sino-ge.com
        傳真:+86 871 65902819
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        开心激情站
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